Особенности ИК-гашения фотопроводимости в кремнии, легированном марганцем

Аннотация

УДК 621.315.592

Приводятся экспериментальные результаты по исследованию инфракрасного гашения фотопроводимости (ИКГ ФП) в сильно компенсированном кремнии. Показано, что ИКГ ФП в таких материалах имеет аномально большое значение, которое трудно объяснить при помощи существующих физических моделей. Предлагается физическая модель ИКГ ФП в таких сильно компенсированных материалах.

The present work contains the experimental results on the investigation of infra-red quenching of photoconductivity (IRQ PC) in strongly compensated Silicon. It has been shown that IRQ PC in such materials is characterized by anomalous high values, which is difficult to explain using the existing physical models. The physical model of IRQ PC in such materials is presented.

Скачать полнотекстовый PDF. 3469 скачиваний

Menu

Том 41 (2005), Номер 4, стр. 84-88

Особенности ИК-гашения фотопроводимости в кремнии, легированном марганцем

Аннотация