The Photoelectrochemical Etching as a Tool for GaN Gas Sensor Fabrication

Аннотация

УДК 621.315.592

Whisker and columnar structures of GaN were fabricated using photoelectrochemical etching in KOH solution. The conductivity changes of the obtained structures to ethylic alcohol and hydrogen were studied. Optimized design for sensor fabrication is proposed..

С помощью метода фотоэлектрохимического травления в растворе KOH получены морфологии типа «усиков» и колоннообразные на GaN. Изучено изменение проводимости полученных структур к водороду и парам этилового спирта. Предложен оптимизированный дизайн для производства сенсоров.

Скачать полнотекстовый PDF. 3439 скачиваний

Menu

Том 41 (2005), Номер 4, стр. 7-10

The Photoelectrochemical Etching as a Tool for GaN Gas Sensor Fabrication

Аннотация