О концентрации электроактивных атомов элементов переходных групп в кремнии

Бахадирханов М.К., Зикриллаев Н.Ф., Наркулов Н., Садыков У.Х., Турди Умар, Аюпов К.С.

Аннотация

УДК 621.315.592

Компенсированный кремний, легированный элементами переходной группы, обладает рядом уникальных свойств, которые сильно зависят от концентрации электроактивных примесных атомов. В связи с этим, в данной работе приводятся результаты исследования поведения примесных атомов марганца в кремнии. Результаты исследования показали, что в области температуры диффузии Т = 1200-1300^оС примесные атомы марганца образуют электронейтральные молекулы с атомами кислорода. Образование таких молекул в кремнии не только обеспечивает электронейтральность, но также уменьшает участие атомов кислорода в образовании других различных комплексов, ответственных за генерацию термодоноров, которая ухудшает электрофизические параметры полупроводниковых приборов.

Compensated Silicon doped with elements of transition group reveals a number of unique properties which strongly depend on the concentration of electric active atoms concentration. The paper is devoted to investigation of interaction among impurity manganese and silicon atoms. Investigation results showed that in the temperature range of 1200-13000 ⁰C manganese atoms form electric neutral molecules with oxygen. Formation of such molecules in silicon provides not only electric neutrality, but also decreases participation of oxygen atoms in formation of other complexes which are responsible for generation of thermodonors and aggravation of electric and physical parameters of semiconductor devices.

Скачать полнотекстовый PDF. 3642 скачиваний

Menu

Том 41 (2005), Номер 2, стр. 90-92

О концентрации электроактивных атомов элементов переходных групп в кремнии

Аннотация