Тонкие пленки оксидов титана и олова и полупроводниковые структуры на их основе, полученные пиролитической пульверизацией: изготовление, характеризация и коррозионные свойства

Берсирова О.Л., Брук Л.И., Дикусар А.И., Караман М.И., Сидельникова С.П., Симашкевич А.В., Шербан Д.А., Японцева Ю.С.

Аннотация

УДК 621.315+620.19

Описаны особенности получения методом пиролитической пульверизации пленок оксидов олова и титана, а также полупроводниковых структур на их основе. Данные рентгеновской дифракции показали, что при этом образуются кристаллические тетрагональные структуры (для TiO₂ модификация анатаз). Результаты элементного анализа и импедансных исследований полученных полупроводниковых структур в модельном хлорид-сульфатном растворе показали, что в случае осаждения на кремний образуется структура оксид/SiO₂/Si, а в случае осаждения на InP – структура оксид/InP. Благодаря результатам коррозионных исследований выяснено, что при осаждении вышеуказанных оксидов на кристаллы Si и InP и получении соответствующих полупроводниковых гетероструктур наблюдается существенное смещение коррозионного потенциала в анодную область, что делает их перспективными материалами для фотоэлектрохимических приложений.

The peculiarities of obtaining of tin and titanium oxide layers and semiconductor structures on their basis are described. The Roentgen diffraction results show that SnO₂ and TiO₂ layers possess crystalline tetragonal structure (anatas modification for TiO₂).The results of element composition analysis and impedance investigations of the fabricated structures in the model chloride-sulfate solutions demonstrate that oxide/ SiO₂/Si structures are obtained when Si substrates are used. In the case of InP substrates the oxide layer at the interface is not detected and the respective structure is oxide/InP. The results of corrosive investigations show that essential displacement of the corrosive potential to the anode region is observed in the case of deposition of SnO₂ and TiO₂ oxide layers on Si and InP crystals and fabrication of respective semiconductor structures. This fact demonstrates the availability of the utilization of these materials in photoelectrochemical applications.

Скачать полнотекстовый PDF. 8695 скачиваний

Menu

Том 43 (2007), Номер 6, стр. 40-49

Аннотация