En
Ru
Menu
Том 43 (2007), Номер 1, стр. 88-92
ИЗ ОПЫТА РАБОТЫ
Получение пленок СoSi2/Si (100) и анализ их морфологии и стехиометрии методами молекулярно-лучевой, твердофазной и реактивной эпитаксий
Эгамбердиев Б.Э., Холлиев Б.Ч., Маллаев А.С., Зоирова М.Э., Эшонхонов А.
Аннотация
УДК 539.23
Представлены результаты исследования процессов формирования сверхтонких пленок СoSi2 на поверхности Si (100) методами МЛЭ, ТФЭ и РЭ. Исследованы закономерности начального этапа роста пленки СoSi2. Предложена стехиометрия пленок СoSi2 методом Оже – электронной спектроскопии. Результаты проведенных исследований указывают на сильную зависимость морфологических и электрофизических свойств структуры СoSi2 /Si (100) от условий роста. Измерения поверхностного сопротивления показали, что сопротивление пленок СoSi2, выращенных при Т>6000C, мало меняется для разных режимов роста.
The presented results of the study of the processes of the shaping superthin film СoSi2 on surfaces Si (100) by methods MLE, TFE and RE. The Explored regularities of the initial stage of the growing of the film СoSi2. It is offered stekhiometry of film СoSi2 by method Oje – electronic spectroscopy. The results of investigation point to strong dependency morphological and electro-physical properties of structures СoSi2/Si (100) from conditions of the growing. The measurements of the surface resistance factors that resistance film СoSi2 growen under T>6000c, little are changed for miscellaneous mode growing.
Скачать полнотекстовый PDF. 3440 скачиваний
Web-Design Web-Development SEO - eJoom Software. All rights reserved.