Скорость поверхностной генерации носителей заряда по границе раздела полупроводник-стекло

Аннотация

УДК 621.315.592.4.

Предложена методика определения временной зависимости скорости поверхностной генерации по границе раздела полупроводник-диэлектрик. Показано, что в структурах МДП, изготовленных на основе кремния n-типа проводимости, покрытого слоем свинцово-боро-силикатного стекла, скорость поверхностной генерации является функцией времени.

It is offered the method for determining of time-dependence of surface generation velocity on semiconductor-dielectric interface. It is shown that surface generation velocity is a time function in MDS-structures of n-Si covered by the lead-boron-silicate glass.

Скачать полнотекстовый PDF. 3016 скачиваний

Menu

Том 44 (2008), Номер 1, стр. 91-94

Скорость поверхностной генерации носителей заряда по границе раздела полупроводник-стекло

Аннотация