Фотоэлектрические структуры на основе нанопористого p-InP

Дикусар А.И., Брук Л.И., Монайко Э.В., Шербан Д.А., Симашкевич А.В., Тигиняну И.М.

Аннотация

УДК 621.315 +620.19

Подтверждена возможность наноструктурирования поверхностей фосфида индия дырочной проводимости. Разработана методика изготовления и исследования гетероструктур SnO₂/InP c нанопористой поверхностью границы раздела. Показано, что исследованная структура может служить базой для разработки фотоэлектрических устройств с повышенной активной поверхностью.

The possibility for nanostructuring of surfaces of indium phosphide with hole conductivity is confirmed. The technique of manufacturing and research of SnO₂/InP heterostructures with nanoporous morphology at interface is developed. It is shown, that the investigated structure can form the basis for working out of photovoltaic devices with enhanced active surface.

Скачать полнотекстовый PDF. 3944 скачиваний

Menu

Том 44 (2008), Номер 1, стр. 4-9

Фотоэлектрические структуры на основе нанопористого p-InP

Аннотация