Структура и важнейшие электрофизические свойства тонких пленок Ge_1-Х - Si_Х

Аббасов Ш.М., Агавердийева Г.Т., Байцар А.С., Фараджова У.Ф., Мехдеви Г.М.

Аннотация

УДК 621.315; 592

При термической обработке осажденных пленок Ge_0,85Si_0,15 был обнаружен ряд особенностей, связанных с характером проводимости. Пленки твердых растворов Ge_0,85Si_0,15 весьма устойчивы к термическому отжигу. Экспериментально показано, что облучение электронами с ускоряющим напряжением приводит к ускоренной кристаллизации в пленке и понижению электропроводности.

In this work the methodology of getting thin layers on the basis of Ge_1-xSi_x was used. The thin layers formation speed is in 1 Å/c 1000 Å/c. The ability of the quasi – amorphous condition of thin layers on the basis of Ge_0,85Si_0,15 (h~100nm) to stay up to 565 K temperature was determined. It has been experimentally established that electron irradiation with stress leads to accelerated crystallization in the film and decrease of electro conductivity.

Скачать полнотекстовый PDF. 3348 скачиваний

Menu

Том 45 (2009), Номер 2, стр. 98-104

Структура и важнейшие электрофизические свойства тонких пленок Ge1-Х - SiХ

Аннотация

Структура и важнейшие электрофизические свойства тонких пленок Ge_1-Х - Si_Х