Ферромагнитные свойства кремния, легированного атомами марганца

Зикриллаев Н.Ф., Ковешников С.В., Левент Трабзон, Мавлонов Г.X., Исмайлов Б.К., Исмаилов Т.Б., Уракова Ф.Э.

Аннотация

УДК 537.622.4

Исследование ферромагнитных свойства кремния, диффузионно-легированного примесными атомами марганца, дает возможность определения магнитных свойств этого материала. В зависимости от технологии получения таких образцов марганец может находиться преимущественно в узлах или междоузлиях кристаллической решетки кремния. Установлено, что наблюдaeмые ферромагнитные свойства кремния в основном связаны с концентрацией дырок и обменным взаимодействием дырок в кремнии. Показано, что d-оболочка атомов марганца заполняется электронами, которые приводят к появлению магнитного свойства кремния, легированного атомами марганца. Из анализа результатов исследования установлено, что можно получить магнитный материал с ферромагнитными свойствами на основе кремния, легированного примесными атомами марганца, который можно широко применять при создании спинтронных устройств в магнитоэлектронике.

Ключевые слова: кремний, марганец, диффузия, нанокластер, примесь, гистерезис.

The study of the ferromagnetic properties of silicon diffusion-doped with manganese impurity atoms makes it possible to determine the magnetic properties of this material. Depending on the technology of obtaining such samples, manganese may be located predominantly in the nodes or interstices of the silicon crystal lattice. It has been established that observations of the ferromagnetic properties of silicon are mainly related to the concentration of holes and the exchange interaction of holes in silicon. The study showed that the d-shell of manganese atoms can be filled with electrons, which leads to the appearance of the magnetic property of silicon doped with manganese atoms. The obtained research results showed a possibility to obtain a magnetic material with ferro-magnetic properties based on silicon doped with manganese impurity atoms, which can be widely used in the creation of spintronic devices in magnetoelectronics.

Keywords: silicon, manganese, diffusion, nanocluster, impurity, hysteresis.

Скачать полнотекстовый PDF. 86 скачиваний

Menu

Том 60 (2024), Номер 3, стр. 28-33

Ферромагнитные свойства кремния, легированного атомами марганца

Аннотация