En
Ru
Menu
Том 59 (2023), Номер 2, стр. 61-66
https://doi.org/10.52577/eom.2023.59.2.61
Диэлектрические свойства слоистых монокристаллов MnGaInSe4 в переменном электрическом поле
Нифтиев Н.Н., Дашдемиров А.О., Мамедов Ф.М., Мурадов М.Б.
Аннотация
УДК 537.855.621.315.592.3
Приводятся результаты исследований частотных и температурных зависимостей тангенса угла диэлектрических потерь, действительной и мнимой частей диэлектрической проницаемости в монокристаллах MnGaInSe4 в переменном электрическом поле. Установлено, что основным видом диэлектрических потерь в монокристаллах MnGaInSe4 в области частот 8×103 – 3×105 Гц являются потери на электропроводность, а проводимость характеризуется зонно-прыжковым механизмом. Определены энергии активации носителей тока монокристаллов. Установлено, что действительная и мнимая части диэлектрической проницаемости претерпевали значительную дисперсию, носящую релаксационный характер.
Ключевые слова: MnGaInSе4, переменный ток, частота диэлектрических потерь, диэлектрическая проницаемость, зонно-прыжковый механизм, энергия активации.
The results of the studies of the frequency and temperature dependences of the dielectric loss tangent, the real and imaginary parts of the permittivity in MnGaInSe4 single crystals in an alternating electric field are presented. It was found that the main type of dielectric losses in MnGaInSe4 single crystals in the frequency range 8×103 – 3×105 Hz are electrical conductivity losses and the conductivity is characterized by the band-hopping mechanism. The activation energies of current carriers of single crystals are determined. It was found that the real and imaginary parts of the permittivity underwent significant dispersion, which was of a relaxation nature.
Keywords: MnGaInSe4, alternating current, frequency, dielectric loss, permittivity, zone hopping mechanism, activation energy.
Скачать полнотекстовый PDF. 128 скачиваний
Web-Design Web-Development SEO - eJoom Software. All rights reserved.