Прикладные особенности фоточувствительных сенсоров на основе контакта полупроводник–электролит

Аннотация

УДК 681.586.72

Рассмотрены особенности отклонения потенциала обесточенной цепи на контакте полупроводник-электролит, где в качестве полупроводникового материала применяются сульфиды кадмия и цинка. Предложены модели эквивалентных электрических цепей, объясняющие наблюдаемые явления. Приведены примеры устройств, реализованных на базе результатов проведенных исследований.

Ключевые слова: фоточувствительный сенсор, потенциал обесточенной цепи, контакт полупроводник–электролит, CdS, ZnS, Cd0.95Zn0.05S.

The features of the deviation of the potential of a de-energized circuit at the semiconductor-electrolyte contact, where cadmium and zinc sulfides are used as semiconductor materials, are considered. Models of equivalent electrical circuits explaining the observed phenomena are proposed. Examples of devices implemented on the base of the results of the conducted research are given.

Keywords: photosensor, de-energized circuit potential, semiconductor – electrolyte contact, CdS, ZnS, Cd0.95Zn0.05S

Скачать полнотекстовый PDF. 313 скачиваний

Menu

Том 58 (2022), Номер 3, стр. 78-85

Прикладные особенности фоточувствительных сенсоров на основе контакта полупроводник–электролит

Аннотация