Том 56 (2020), Номер 2, стр. 14-20

Функциональные возможности кремния с нанокластерами атомов марганца

Бахадирханов М.К., Исамов С.Б., Зикриллаев Н.Ф., Илиев Х.М., Мавлонов Г.Х., Ковешников С.В., Ибодуллаев Ш.Н.

Аннотация

УДК 621.315.592

Показано, что кремний с нанокластерами атомов марганца обладает уникальными электри-ческими, фотоэлектрическими, магнитными и фотомагнитными свойствами, которые отсутствуют в обычных легированных полупроводниковых материалах. Образцы выявили аномально высокую примесную фоточувствительность в области l = 1–3 мкм, большое отрицательное магнетосопротивление при комнатной температуре, а также новые термомагнитные и фотомагнитные эффекты, которые наблюдались в том же образце. Найдены оптимальные электрофизические параметры образцов. Особенности наблюдаемых физических эффектов позволяют создавать на основе таких материалов принципиально новые многофункциональные датчики физических величин.

Ключевые слова: кремний, кластеры марганца, магнетосопротивление, термомагнитные и фотомагнитные датчики.

The paper reports that silicon with nanoclusters of manganese atoms has unique electrical, photoelectric, magnetic, and photomagnetic properties absent in ordinary doped semiconductor materials. The samples revealed an anomalously high impurity photosensitivity in the region of l = 1–3 μm, a large negative magnetoresistance at room temperature, as well as new thermomagnetic and photomagnetic effects, which were observed in the same sample. Optimal electrophysical parameters of the samples were found. A unique set of observable physical effects allows to create fundamentally new multifunctional sensors of physical quantities based on such materials.

Keywords: silicon, manganese clusters, magnetoresistance, thermomagnetic, photomagnetic, sensors.

Скачать полнотекстовый PDF. 2640 скачиваний

Menu

Том 56 (2020), Номер 2, стр. 14-20

Функциональные возможности кремния с нанокластерами атомов марганца

Аннотация