Высокоскоростное удаление фоторезистивных пленок в послесвечении СВЧ разряда в кислороде

Аннотация

УДК 621.9.048.7

Представлены результаты экспериментального исследования процесса удаления фоторезистивных защитных покрытий в зоне послесвечения плазмы СВЧ разряда в кислороде. Процесс характеризуется высокими качественными и количественными показателями, что делает его перспективным для применения в технологии изготовления БИС и СБИС при использовании подложек диаметром 150, 200 и 300 мм в условиях автоматизированного производства.

The results of experimental investigation the process of removing protoresistive protection layers in oxygen microwave discharge afterglow are presented. The process demonstrated a good characteristics and may be successfully used in very-large-scale integration (VLSI) processing with substrates diameter 150, 200 and 300 mm under conditions of fully automatized manufacture.

Скачать полнотекстовый PDF. 540 скачиваний

Menu

Том 37 (2001), Номер 6, стр. 80-83

Высокоскоростное удаление фоторезистивных пленок в послесвечении СВЧ разряда в кислороде

Аннотация