Диагностика удаления фоторезиста с поверхности подложек интегральных схем плазмой СВЧ-разряда в кислороде с использованием оптической спектроскопии процесса

Аннотация

УДК 621.9.048.7

Представлены экспериментальные результаты изучения оптических эмиссионных спектров плазмы СВЧ разряда в кислороде, проводимого с целью установления спектральных линий, характерных для процесса плазмохимического удаления фоторезистивных масок. Установлено, что вследствие специфического проявления эффекта “загрузки” при обработке кремниевых подложек в объеме плазмы СВЧ разряда, контроль за удалением фоторезиста с небольших партий подложек целесообразно проводить по изменению интенсивности полосы СО (λ=519,82 нм; λ=844,6 нм).

The experimental results of examination of the optical emission of microwave plasma discharge in oxygen, performed in order to determine the spectral lines, peculiar to the process of the plasma chemical removal of the photoresist masks, are submitted. It is determined, that due to the specific manifestation of the “loading” effect when processing the silicon substrates in the microwave plasma discharge, the control of the process of removing photoresist from small batches of substrates should be performed by controlling the intensity fluctuations of the strip CO (λ=519,82 nm), and in case of processing the large quantity of substrates - as per the line OI (λ=777,7 nm; λ=844,6 nm).

Скачать полнотекстовый PDF. 638 скачиваний

Menu

Том 37 (2001), Номер 2, стр. 48-81

Диагностика удаления фоторезиста с поверхности подложек интегральных схем плазмой СВЧ-разряда в кислороде с использованием оптической спектроскопии процесса

Аннотация