Характеристики процесса ионно-химического травления монокристаллического кремния плазмой комбинированного разряда

Аннотация

УДК 621.382.002

Представлены результаты технологических испытаний разработанного и изготовленного разрядного устройства, предназначенного для плазменного травления материалов, используемых в технологии микроэлектроники. Особенностью организации процесса обработки является управляемое воздействие на поверхность материала химически активными частицами, создаваемыми в условиях комбинированного (СВЧ и НЧ поля) разряда. Результаты экспериментов показали высокие количественные и качественные характеристики процессов удаления материалов (в частности травления монокристаллического кремния), реализуемых в разработанном разрядном устройстве.

The results of technological tests of the designed and manufactured discharge device intended for a plasma etching of materials used in microelectronic fabrication are presented. The main feature of the process, realized in that device, is a controllable action on a material surface by chemically active particles, formed in a combined (microwave and low frequency fields) discharge. The experimental results demonstrated high quantitative and qualitative performances of processes of removing materials (in particular etching of monocrystalline silicon) in the designed discharge device.

Скачать полнотекстовый PDF. 2497 скачиваний

Menu

Том 38 (2002), Номер 6, стр. 39-42

Характеристики процесса ионно-химического травления монокристаллического кремния плазмой комбинированного разряда

Аннотация