En
Ru
Menu
Том 39 (2003), Номер 6, стр. 85-88
ИЗ ОПЫТА РАБОТЫ
Исследование механизма образования и скорости изменения неравновесных точечных дефектов в процессе окисления кремния
Сафаров А.С., Шукурова Д.М., Икрaмов А.Х., Арсланова Т.Ж.
Аннотация
УДК 621.315.592
В работе показано, что плотности поверхностных зарядов могут коррелировать с контактной разностью потенциалов (КРП). Доказано, что начиная с глубины порядка 0,4 мкм наблюдается рост скорости анодного окисления. Доказана возможность определения монолегированных примесей по глубине полупроводников.
In the work mentioned, that density of surface charges can be increased with difference of contact potentials (DCP). Proved, that starting from depth of about 0,4 micrometers increase in anode oxidation speed is observed. Possibility determination of distribution profile of monolegirrated mixtures through the semiconductors depth is proved.
Скачать полнотекстовый PDF. 2607 скачиваний
Web-Design Web-Development SEO - eJoom Software. All rights reserved.