Влияние включений на пробой диэлектриков

Аннотация

УДК 621.9.04.8.4 + 621.315.592

Используя модель заряженного шара, внесенного в однородное электрическое поле, определены механизм и условия возникновения пробоя в диэлектриках, содержащих включения. Установлена зависимость критической напряженности поля Е_кр, при которой на скоплениях точечных дефектов (СТД) возникает микроплазма, из которой следует, что Е_кр пропорциональна радиусу СТД и плотности ионизованной примеси в ней, то есть заряду СТД.

The mechanism and conditions of the beginnings of breakdown in insulators included the clusters of the point defects was determined using the model of the charged sphere invested into homogeneous electric field. The dependence of the critical field Е_кр was obtained, when on the clusters of the point defects (CPD) micro plasmas arise. From this dependence follow that Е_кр proportional to radius of CPD and the density of the ionized impurity in them.

Скачать полнотекстовый PDF. 2495 скачиваний

Menu

Том 40 (2004), Номер 5, стр. 41-44

Влияние включений на пробой диэлектриков

Аннотация