ИЗ ОПЫТА РАБОТЫ
Бахадирханов М.К., Ибрагимов Ш.Б., Камолов И.Р.
УДК 621.315.592
В работе приведены результаты исследования влияния химической обработки на параметры барьеров Шоттки М-InP и оценивалось по ВАХ и ВФХ контактов Аu-n-InP (100) (S = 4.10-2 cм2), сформированных методом термического напыления Au на подложки n-InP (N = 1018 см-3) при температуре 403 - 423 К. Показано, что химическая обработка является важным фактором управления поверхностными свойствами InP, приводящими к изменению практически всех параметров контактов Au-n-InP. При варьировании видов химической обработки коэффициент неидеальности ВАХ, Φбэф и напряжение пробоя могут изменяться соответственно в пределах 1,06 - 1,8, 0,35 - 0,68 эВ и 3 - 10 В. На основе анализа электрических характеристик контактов Au-n-InP установлено, что барьеры Шоттки, полученные на поверхности, обработанной в щелочной среде (рН > 7), обладают более слабой температурной зависимостью Is, свидетельствующей о пониженной Φбэф таких контактов.
The paper reports the results of investigations of chemical processing influence on parameters of Schottky barriers M-InP. The influence was estimated according to CVD and VFD of contacts Аu-n-InP (100) (S = 4.10-2 cm2) formed by the method thermal deposition of Au on substrates n-InP (N = 1018 сm3), 403 - 423 K. It is shown, that chemical processing is the important factor of control of the superficial properties of InP which effect practically on all parameters of contacts Au-n-InP. At variation of a kind of chemical processing the factor of non-ideality of CVD, ΦбT and the voltage of breakdown can change within the limits of 1.06 - 1.8, 0.35 - 0.68 eV and 3-10 V, respectively. At the analysis of electric characteristics of contacts Au-n-InP it is seen that Schottky barriers received on a surface that was processed in alkaline medium (рН > 7) possess weaker temperature dependence Is. This fact testifies about decreased ΦбT of such contacts.
Скачать полнотекстовый PDF. 1350 скачиваний
Web-Design Web-Development SEO - eJoom Software. All rights reserved.