Application of Surface Charge Lithography to Nanostructuring of GaN Epilayers

Popa V. Iu., Volciuc O., Tiginyanu I.M., Sarua A., Heard P.

Аннотация

УДК 621.315.592

Доказано, что обработка слоев GaN низкоэнергетическим фокусированным ионным лучом с последующим фотоэлектрохимическим травлением является эффективным способом для наноструктурирования GaN. Прямое «рисование» поверхностным зарядом открывает возможность создавать тонкие стенки GaN толщиной 100 нм, используя обработку сфокусированным ионным лучом. Полученные результаты показывают, что травление GaN под слоем поверхностного заряда, созданным ионным лучом, зависит от размера обедненного слоя и не наблюдается в стенках GaN толщиной меньше 200 нм в нашем случае.

It is shown that treatment of GaN epilayers by a low energy low dose focused ion beam with subsequent photoelectrochemical etching represent an efficient tool for GaN nanostructuring. Direct “writing” of surface negative charge trapped by radiation defects allows one to fabricate thin GaN walls with the thickness as low as 100 nm using focused ion beam treatment. The obtained results show that the undercut etching inherent to GaN etching through windows defined by surface charge lithography depends on the depletion length in doped GaN material and does not occur in the structures below critical size of 200 nm in our case.

Скачать полнотекстовый PDF. 2958 скачиваний

Menu

Том 44 (2008), Номер 1, стр. 10-13

Application of Surface Charge Lithography to Nanostructuring of GaN Epilayers

Аннотация