ELEKTRONNAYA OBRABOTKA MATERIALOV
ISSN 0013-5739 (Print) 2345-1718 (Online)

Menu

Vol. 49 (2013), Issue 6, p. 74-79

Влияние термоотжига и условий охлаждения кристаллов n Si

на температурные зависимости подвижности носителей заряда в области примесного рассеяния

Гайдар Г.П.


Abstract

УДК 621.315.592

 

Исследованы изменения температурных зависимостей подвижности носителей заряда в монокристаллах n‑Si<P>, выращенных методом Чохральского, которые отжигались и охлаждались при различных условиях. Кристаллы с удельным сопротивлением r300K = 0,3 и 4,4 Oм×cм отжигались при 1200 и 500оС в течение двух часов. Отжиг сопровождался быстрым (~ 1000oC/мин) или медленным (~ 1oC/мин) охлаждением. Показано, что подвижность свободных носителей заряда в случае примесного рассеяния определяется не только условиями термоотжига, но и скоростью охлаждения.

 

Ключевые слова: кремний, примесное рассеяние, подвижность носителей заряда, термоотжиг, условия охлаждения.

 

 

The changes of temperature dependences of charge carrier mobility in n‑Si<P> single crystals, grown by the Czochralski method, annealed and cooled under various conditions, have been investigated. The crystals with resistivities r300K = 0.3 and 4.4 Ohm×cm have been annealed at 1200 and 500oC, during 2 hours. The annealing has been accompanied by fast (~ 1000oC/min) or slow (~ 1oC/min) cooling. The mobility of free carriers in the case of impurity scattering is shown to be determined not only by thermal-annealing conditions but also by the rate of cooling.

 

Keywords: silicon, impurity scattering, charge carrier mobility, thermal-annealing, conditions of cooling.

 

 

 
 

Download full-text PDF. 2829 downloads

Web-Design Web-Development SEO - eJoom Software. All rights reserved.