Исследование гальваномагнитных свойств приповерхностного слоя диффузионно-легированного кремния

Abstract

УДК 621.315.592

Диффузионным легированием кремния хромом, бором, кобальтом получен компенсированный кремний Si<B,Mn>, Si<B,Co>, Si<B,Cr> различной степени компенсации. Исследованы поверхностная и объемная проводимости, концентрация и подвижность носителей заряда, профиль их распределения. Установлено, что независимо от типа проводимости исходного кремния проводимость приповерхностного слоя определенной толщины получается дырочной с концентрацией носителей ^ 10²¹ см^-3. Противоречия между донорными свойствами Mn, Co, Cr и дырочным характером проводимости приповерхностного слоя, а также величиной растворимости Mn, Co, Cr в кремнии и концентрацией этих элементов вблизи поверхности объясняются образованием силицидов металлов в поверхностной области легированного кремния.

Compensated silicon Si<B,Mn>, Si<B,Co>, Si<B,Cr> with different compensation degrel was received using diffusion doping with Mn, Co and Cr. Surface and volume conductivity was investigated so as concentration and charge current mobility, their distribution profile. It was stated that irrespective of the original silicon conductivity type the conductivity of presurface layer with definite thick was hole-type with carriers concentration ^ 10²¹ cm^-3. Contradiction between hole properties Mn, Co, Cr and the hole character of presurface layer conductivity, so as between value of solubility Mn, Co, Cr in silicon and concentration of these elements near surface is explained by cilicides metals formation in the presurface area of doped silicon.

Download full-text PDF. 3325 downloads

Menu

Vol. 42 (2006), Issue 6, p. 80-83

Исследование гальваномагнитных свойств приповерхностного слоя диффузионно-легированного кремния

Abstract