Механизм токопрохождения в монокристаллах TlInSe₂ при сильных электрических полях

Мадатов Р.С., Наджафов А.И., Тагиев Т.Б., Газанфаров М.Р.

Abstract

УДК 621.38

Исследованы температурные зависимости вольт-амперной характеристики, фотопроводимости и электропроводности монокристаллов TlInSe₂. Установлено, что механизм токопрохождения в монокристаллах TlInSe₂ при полях Е < 10² V/см обусловлен током ограниченным пространственным зарядом, а при Е >10² V/см обусловлен полевым эффектом. Показано, что перезарядки r-центров при освещении белым светом TlInSe₂ приводит к температурному гашению фототока при 180 К.

The temperature dependence of TlInSе₂ monocrystal’s volt-ampere characteristics, photoconductivity and electroconductivity has been studied. It has been established that the current flow mechanism in TlInS₂ monocrystal with a tetragonal modification is connected with the space charges at E<10²V/cm fields and the field effects at E>10²V/cm values of the field. It has been shown that the photocurrent switches off at 180 K temperature at the expense of recharging of r-centers when TlInS₂ monocrystal is illuminated by white light.

Download full-text PDF. 3768 downloads

Menu

Vol. 46 (2010), Issue 5, p. 115-119

Механизм токопрохождения в монокристаллах TlInSe2 при сильных электрических полях

Abstract

Механизм токопрохождения в монокристаллах TlInSe₂ при сильных электрических полях