En
Ru
Menu
Vol. 46 (2010), Issue 3, p. 94-99
OPERATING EXPERIENCE
Фотопроводимость кремния с многозарядными кластерами атомов марганца [Mn]4
Бахадырханов М.К., Мавлонов Г.Х., Исамов С.Б., Аюпов К.С., Илиев Х.М., Саттаров О.Э., Тачилин С.А.
Abstract
УДК 621.315.592
Исследованы особенности фотоэлектрических свойств кремния с многозарядными нанокластерами атомов марганца. Установлены закономерности изменения кратности зарядового состояния нанокластеров от положения уровня Ферми. Показано, что в образцах с максимальной кратностью заряда нанокластеров наблюдается ряд новых физических эффектов: аномально высокая примесная фотопроводимость в области 3÷5 мкм, гигантская остаточная проводимость и фотопроводимость, стимулированная электрическим полем. В образцах с минимальным зарядовым состоянием нанокластеров наблюдается эффект аномально глубокого ИК гашения ФП, кратности гашения которого достигают 6÷7 порядков. Установлены закономерности управления фотоэлектрическими свойствами кремния путем изменения зарядового состояния нанокластеров.
The present work is dedicated to the study of photoelectric properties of the silicon with multiple nanoclusters of manganese atoms. Laws of change of frequency rate of charge state of nanoclusters as a function of Fermi’s level have been determined. It has been demonstrated that in samples with maximal frequency rate of charge of nanoclusters, one can witness a row of novel physical phenomena such us: abnormally large impurity photoconductivity within the range of 3¸5 micron, gigantic residual conductivity and photoconductivity stimulated by electrical field. In samples with minimal charge state of nanoclusters, one can witness the effect of abnormally deep infrared quenching of photoconductivity, frequency of quenching of which reaches 6¸7 micron. We have determined laws of manipulating of photoelectrical properties of silicon by means of change of charge state of nanoclusters.
Download full-text PDF. 3250 downloads
Web-Design Web-Development SEO - eJoom Software. All rights reserved.