Анизотропия электропроводности в облученных кристаллах TlInS₂

Мадатов Р.С., Наджафов А.И., Мамедов В.С., Мамедов М.А.

Abstract

УДК 621.315.592

Проведены исследования анизотропии электропроводности в гексагональных кристаллах TlInS₂ облученными γ-квантами. Установлено, что при облучении малыми дозами (~50 крад) происходит накопление радиационных дефектов в междуслоевом пространстве и в плоскости слоев. В результате этого уменьшается электропроводность σ_⊥c и σ_‖c. При увеличении дозы облучения (выше 200 крад) вследствие взаимодействия радиационных дефектов с исходными неоднородностями происходит образование сложных дефектов, в результате чего электропроводность в обоих направлениях экспоненциально увеличивается.

Investigations of anisotropy of electric conductivity in the hexagonal crystals of TlInS₂, irradiated by gamma-rays are conducted. It is found that at low-dose irradiation (~50 krad) the accumulation of radiation defects takes place in the interlayer space as well as in the plane of layers. This results in decrease of σ_⊥c and σ_‖c electric conductivity. At high-dose irradiation (more than 200 krad) a formation of complex defects takes place due to the interaction between radiation defects with the original inhomogeneities. As a result, electric conductivity in both directions increases exponentially.

Download full-text PDF. 3801 downloads

Menu

Vol. 46 (2010), Issue 2, p. 77-79

Анизотропия электропроводности в облученных кристаллах TlInS2

Abstract

Анизотропия электропроводности в облученных кристаллах TlInS₂