Спектры энергетических уровней многозарядных нанокластеров атомов марганца в кремнии

Abstract

УДК 621.315.592

В работе исследованы спектры энергетических уровней многозарядных нанокластеров атомов марганца в кремнии. Обнаружено, что формирование многозарядных нанокластеров существенно изменяет структуру энергетических состояний атомов марганца в кремнии и образование донорных энергетических уровней в интервале Е = Е_V+ (0,16¸0,5) эВ. В таких материалах значение фототока в интервале hn = 0,16¸0,6 эВ увеличивается непрырывно и скачкообразно, оно также обладает очень высокими значениями, то есть имеет высокую примесную фоточувствительность. Обнаружено, что фоточувствительность таких образцов в интервале hn = 0,16¸0,8 эВ увеличивается с ростом электрического поля по закону ~E^3,8^¸⁴. Установлено, что, управляя зарядовым состоянием нанокластеров, можно изменять фотопроводимость и фоточувствительность материала в широкой области.

In this work the spectrum of energy levels multicharge nanoclusters of manganese atoms in silicon are investigated. It is found, that formation of multicharge nanocluters essentially changes the structure of energy states of manganese atoms in silicon and energy levels in the range of Е = Е_V+(0.16–0.5) eV are formed. In such materials value of a photocurrent in the range of hn=0.16–0.6 eV increases continuously and in steps, it also possesses very high values, i.e. has high impurity photosensitivity. It is found, that photosensitivity of such samples in the range of hn=0.16–0.8 eV increases with electric field growth by the law ~ E^3,8–4. It is established that by controlling of the charge states of nanoclusters, it is possible to change photoconductivity and photosensitivity of the materials in a wide area.

Download full-text PDF. 3408 downloads

Menu

Vol. 47 (2011), Issue 6, p. 8-11

Спектры энергетических уровней многозарядных нанокластеров атомов марганца в кремнии

Abstract