Изменение электросопротивления кремния при циклическом наноиндентировании

Abstract

УДК 538.9:538.951

Изученa зависимость электросопротивления структуры n⁺ITO-SiO₂-nSi от внешнего механического напряжения, созданного циклическим индентированием. Рассмотрены два фактора, способствующие данному явлению, а также вклад каждого из них в изменение проводимости образцов во время индентирования. Обнаружено, что первый фактор, то есть фазовые превращения под отпечатком в Si, ответственны только за треть общего изменения проводимости кремния. Другая, большая доля изменения проводимости кремния обусловлена, по всей вероятности, эффектом изменения пьезорезистивности кремния в процессе нагружения-разгрузки образца при наноиндентировании (второй фактор).

Change of electrical resistance of the structure n + ITO-SiO2-nSi subject to external mechanical stress created by the cyclic indentation was studied in the present work. The consideration was taken of the two factors contributing to this phenomenon, as well as the contribution of each of them in the change of conductivity during indentation. It was found out that the first factor, i.e. phase transformations under indenter, is responsible for only one third of the total change of conductivity of silicon. While the bigger part of the change of silicon conductivity, is, most probably, due to the second factor, i.e. the effect of the change of silicon piezoresistance in the process of loading-unloading of the sample during nanoindentaton.

Download full-text PDF. 3522 downloads

Menu

Vol. 47 (2011), Issue 3, p. 106-109

Изменение электросопротивления кремния при циклическом наноиндентировании

Abstract