Плотность поверхностных состояний на границе раздела полупроводник-стекло

Abstract

УДК 621.315.592

Предложена методика определения плотности поверхностных состояний на границе раздела полупроводник-свинцово-боросиликатное стекло МДП-структур. Показано, что метод дифференцирования C-V-зависимости является более точным и однозначным, а также менее трудоемким по сравнению с известными методами.

The method of determination of surface state density at semiconductor-glass interface of MIS-structure is offered. It is shown, that the method of differentiation of C-V-dependence is more exact and unequivocal, and also less labour-intensive in comparison with known methods.

Download full-text PDF. 4085 downloads

Menu

Vol. 44 (2008), Issue 4, p. 102-104

Плотность поверхностных состояний на границе раздела полупроводник-стекло

Abstract