Структура и важнейшие электрофизические свойства тонких пленок Ge_1-Х - Si_Х

Аббасов Ш.М., Агавердийева Г.Т., Байцар А.С., Фараджова У.Ф., Мехдеви Г.М.

Abstract

УДК 621.315; 592

При термической обработке осажденных пленок Ge_0,85Si_0,15 был обнаружен ряд особенностей, связанных с характером проводимости. Пленки твердых растворов Ge_0,85Si_0,15 весьма устойчивы к термическому отжигу. Экспериментально показано, что облучение электронами с ускоряющим напряжением приводит к ускоренной кристаллизации в пленке и понижению электропроводности.

In this work the methodology of getting thin layers on the basis of Ge_1-xSi_x was used. The thin layers formation speed is in 1 Å/c 1000 Å/c. The ability of the quasi – amorphous condition of thin layers on the basis of Ge_0,85Si_0,15 (h~100nm) to stay up to 565 K temperature was determined. It has been experimentally established that electron irradiation with stress leads to accelerated crystallization in the film and decrease of electro conductivity.

Download full-text PDF. 3348 downloads

Menu

Vol. 45 (2009), Issue 2, p. 98-104

Структура и важнейшие электрофизические свойства тонких пленок Ge1-Х - SiХ

Abstract

Структура и важнейшие электрофизические свойства тонких пленок Ge_1-Х - Si_Х