Формирование рельефа поверхности многослойной нанопериодической структуры Ge₅As₃₇S₅₈/Se, индуцированное электронным облучением

Сергеев С.А., Мешалкин А.Ю., Стронский А.В., Паюк О.П., Тридух Г.М., Кожокару И.А.

Abstract

УДК 621.9.048.7

В многослойной нанопериодической структуре (МНС) Ge₅As₃₇S₅₈/Se осуществлена электронно-лучевая запись растровых рисунков. Поверхность МНС Ge₅As₃₇S₅₈/Se, образованная группой пикселей, изучалась в атомном силовом микроскопе. Установлен вклад массопереноса в формирование объемных пикселей, образующих рельеф поверхности данной МНС. Обнаружено, что быстрое перемещения пучка электронов между заданными точечными областями облучения приводит к образованию на поверхности МНС линий в виде гребней.

Ключевые слова: электронно-лучевая запись, многослойная нанопериодическая структура, пленки халькогенидов, профиль поверхностного рельефа.

Electron beam recording of raster images was carried out on the Ge₅As₃₇S₅₈/Se nanolayered structure (NLS). The topography of the patterned NLS surface was studied using an atomic force microscope. According to the obtained results, the contribution of the lateral mass transport to the surface relief formation on the NLS was established. The formation of ridge-like lines on the NLS surface under the fast jumping of an electron beam between its targeted locations was revealed.

Keywords: electron beam recording, multilayer nanoperiodic structure, chalcogenide films, surface relief profile.

Download full-text PDF. 8 downloads

Menu

Vol. 61 (2025), Issue 2, p. 18-24

Формирование рельефа поверхности многослойной нанопериодической структуры Ge5As37S58/Se, индуцированное электронным облучением

Abstract

Формирование рельефа поверхности многослойной нанопериодической структуры Ge₅As₃₇S₅₈/Se, индуцированное электронным облучением