Разработка и создание нового класса варизонных структур на основе кремнияс участием атомов Zn и Se

Зикриллаев Н.Ф., Турсунов О.Б., Кушиев Г.А.

Abstract

УДК 621.315.592

Возможность формирования структур типа соединений между халькогенидами и металлами переходной группы в кристаллической решетке кремния относится к актуальным задачам электроники. Показано, что в определенных технологических условиях формируется достаточная концентрация элементарных ячеек, которая приводит к изменению зонной структуры самого кремния, то есть получаются микро- и наноразмерные включения в кремнии с прямозонной структурой. Представлены возможности создания на основе таких материалов принципиально нового класса фотоэлементов с расширенной областью спектральной чувствительности, а также светоизлучающих приборов, светодиодов и лазеров на их основе.

Ключевые слова: кремний, фотоприемники, взаимодействия, нанокластеры, варизонная структура, элементарная ячейка, растворимость, селен, цинк.

A possibility of the formation of structures such as compounds of elements between chalcogenides and the transition group of metals in the crystal lattice of silicon is studied. This is an urgent problem in electronics. It is shown that, under certain technological conditions, a sufficient concentration of unit cells is formed, which leads to a change in the band structure of silicon itself, i.e. a micro- and nanoscale inclusion in silicon with a direct-gap structure is obtained. The possibilities of creating a fundamentally new class of photocells with an extended spectral sensitivity region, as well as light-emitting devices, light-emitting diodes and lasers based on them are shown.

Keywords: silicon, photodetectors, interactions, nanoclusters, graded-gap structure, unit cell, solubility, selenium, zinc .

Download full-text PDF. 237 downloads

Menu

Vol. 59 (2023), Issue 2, p. 16-20

Разработка и создание нового класса варизонных структур на основе кремнияс участием атомов Zn и Se

Abstract