Формирование отверстий в полупроводниковых материалах лазерной микрообработкой

Abstract

УДК 621.373.826 (075.8)

Исследован процесс лазерного формирования микроотверстий в полупроводниковых подложках на установке лазерной обработки ЭМ-4452-1 с частотой следования импульсов пикосекундного лазера от 10 до 300 кГц при энергии излучения до 10 мкДж. Сочетание высокоскоростных перемещений лазерного луча системой гальваносканера и точного позиционирования обрабатываемого материала повышает эффективность лазерной микрообработки и расширяет функциональные возможности оборудования.

Ключевые слова: лазерное излучение, отверстия, полупроводниковые подложки, микрообработка.

The process of laser formation of microholes in semiconductor substrates using an EM-4452-1 laser processing unit with a pulse repetition rate of a picosecond laser from 10 to 300 kHz at a radiation energy of up to 10 μJ was investigated. The combination of high-speed movements of the laser beam by the galvanoscanner system and precise positioning of the processed material increases the efficiency of laser microprocessing and expands the functionality of the equipment.

Keywords: laser radiation, holes, semiconductor substrates, microprocessing.

Download full-text PDF. 120 downloads

Menu

Vol. 58 (2022), Issue 6, p. 73-79

Формирование отверстий в полупроводниковых материалах лазерной микрообработкой

Abstract