Особенности взаимодействия высокочастотного разряда фреона R-23 (CHF3) с арсенидом галлия и кремнием

Abstract

УДК 537.525

Для формирования топологии на поверхности полупроводников часто применяется галоген-содержащая плазма, в частности фреоны. В статье проведено сравнительное исследование плазмохимического взаимодействия фреона R-23 с поверхностью полупроводников методом атомно-силовой микроскопии; кремния и арсенида галлия в плане чистоты и равномерности процесса. Фреон R-23 широко применяется в технологии промышленного травления Si, Ge и ряда других материалов, обеспечивая приемлемые скорости взаимодействия, сохраняя равномерную поверхность пригодную для дальнейших операций технологического цикла.

Ключевые слова: плазма, травление, поверхность, топология, фреоны, полупроводники.

To form topology on the surface of semiconductors, halogen-containing plasma, in particular freons, is often used. This article presents a comparative study of the plasma-chemical interaction of R-23 freon with the semiconductors surface by the atomic-force microscopy; silicon and gallium arsenide in terms of purity and uniformity of the process. Freon R-23 is widely used in the technology of industrial etching of Si, Ge, and a number of other materials, providing acceptable rates of interaction while maintaining a uniform surface suitable for further operations of the technological cycle.

Keywords: рlasma, etching, surface, topology, freons, emiconductors

Download full-text PDF. 261 downloads

Menu

Vol. 58 (2022), Issue 2, p. 61-67

Особенности взаимодействия высокочастотного разряда фреона R-23 (CHF3) с арсенидом галлия и кремнием

Abstract