Tenso-Hall Effect in Compensated Silicon

Abstract

УДК 621.315.592

The Hall effect" for unaxial compression at temperature 300K has been investigated on Si, compensated with S of various concentration. The curves ρ(x)/ρ₀ from the uncompensated (with no S) crystals display saturation, in case of S-compensated crystals a maximum is observed. The concentration of free electrons in the uncompensated crystals was found to be independent of pressure. Their mobility decreases to saturate at the pressure of 7·10⁸ Pa. In S-compensaled crystals free electron concentration increases with the rise of pressure, their mobility decreases, hence the curves ρ(x)/ρ₀ show maximum. The reason for the increase of the concentration of free electrons in S-compensated Si is elucidated.

На кремнии, компенсированном серой различной концентрации, исследовался Холл эффект при одноосном сжатии при температуре 300 К. На некомпенсированных (без серы) кристаллах на кривых ρ(x)/ρ₀ наблюдается насыщение, а в случае компенсированных серой кристаллах - максимум. Установлено, что в некомпенсированных кристаллах концентрация свободных электронов не зависит от давления, подвижность их уменьшается и достигает насыщения при давлении 7·10⁸ Па. В компенсированных серой кристаллах, концентрация свободных электронов растет с увеличением давления, а подвижность их уменьшается, поэтому на кривых ρ(x)/ρ₀ наблюдается максимум, предложено объяснение причин роста концентрации свободных электронов.

Download full-text PDF. 373 downloads

Menu

Vol. 37 (2001), Issue 6, p. 83-85

Tenso-Hall Effect in Compensated Silicon

Abstract