Vol. 37 (2001), Issue 6, p. 83-85


Tenso-Hall Effect in Compensated Silicon

Bakhadirkhanov M.K., Iliev Kh.M.


УДК 621.315.592


The Hall effect" for unaxial compression at temperature 300K has been investigated on Si, compensated with S of various concentration. The curves ρ(x)/ρ0 from the uncompensated (with no S) crystals display saturation, in case of S-compensated crystals a maximum is observed. The concentration of free electrons in the uncompensated crystals was found to be independent of pressure. Their mobility decreases to saturate at the pressure of 7·108 Pa. In S-compensaled crystals free electron concentration increases with the rise of pressure, their mobility decreases, hence the curves ρ(x)/ρ0 show maximum. The reason for the increase of the concentration of free electrons in S-compensated Si is elucidated.


На кремнии, компенсированном серой различной концентрации, исследовался Холл эффект при одноосном сжатии при температуре 300 К. На некомпенсированных (без серы) кристаллах на кривых ρ(x)/ρ0 наблюдается насыщение, а в случае компенсированных серой кристаллах - максимум. Установлено, что в некомпенсированных кристаллах концентрация свободных электронов не зависит от давления, подвижность их уменьшается и достигает насыщения при давлении 7·108 Па. В компенсированных серой кристаллах, концентрация свободных электронов растет с увеличением давления, а подвижность их уменьшается, поэтому на кривых ρ(x)/ρ0 наблюдается максимум, предложено объяснение причин роста концентрации свободных электронов.




Download full-text PDF. 104 downloads

Web-Design Web-Development SEO - eJoom Software. All rights reserved.