Vol. 55 (2019), Issue 2, p. 23-26

Общность кинетики и механизмов гальваностатического анодного окисления кремния, карбида и нитрида кремния

Abstract

УДК 541.13:621.315.592.3

Показано, что в гальваностатическом режиме электролитического анодирования Si, SiC и Si₃N₄ образование их анодных оксидов протекает с активационным контролем процесса. Выдвинуто предположение о том, что лимитирующей стадией процесса оксидирования данных материалов является анодная реакция образования промежуточного монооксида SiO.

Ключевые слова: анодное окисление, анодные оксидные пленки, анодирование кремния, анодирование карбида кремния, анодирование нитрида кремния.

It is shown that in the galvanostatic mode of electrolytic anodizing of Si, SiC, and Si₃N₄ the formation of their anodic oxides proceeds with the activation control of the process. It is suggested that the limiting stage of the oxidation process of these materials is the anodic reaction of the formation of intermediate monoxide SiO.

Keywords: anodic oxidation, anodic oxide films, silicon anodizing, silicon carbide anodizing, silicon nitride anodizing.

Download full-text PDF. 2324 downloads

Menu

Vol. 55 (2019), Issue 2, p. 23-26

Общность кинетики и механизмов гальваностатического анодного окисления кремния, карбида и нитрида кремния

Abstract