Повышение стабильности твердотельных структур при ионной бомбардировке

Достанко А.П., Баранов В.В., Ануфриев Л.П., Костюкевич А.А., Зеленков В.А.

Abstract

УДК 621.382.002

Рассмотрены факторы, влияющие на стабильность твердотельных структур, в том числе дозированная бомбардировка ионами инертного газа в сочетании с последующей термообработкой. Установлено, что в процессе ионной бомбардировки имеет место ионно-стимулированная диффузия кремния, при которой формируется стабильная граница раздела. Требуемые электрофизические свойства и стабильность диодов Шоттки на основе контактов Si/Мо можно обеспечить сочетанием ионной бомбардировки и изотермического отжига при умеренных температурах (до ~450⁰С) либо импульсного ИК отжига.

Some parameters, including bombardment by noble gas ions in conjunction with thermal treatment, that influent on solid-state structures stability have been discussed. The ion-stimulated diffusion of silicon was occurred during the ion bombardment and a stable interface was formed. The required electrical-physical properties and stability of Si/Мо Schottky diodes might be achieved by combining ion bombardment and isothermal annealing at temperatures up to ~ 450^оС or infra red treatment.

Download full-text PDF. 557 downloads

Menu

Vol. 37 (2001), Issue 1, p. 43-45

Повышение стабильности твердотельных структур при ионной бомбардировке

Abstract