Влияние на фоторезистивный материал СВЧ плазмохимической обработки

Бордусов С.В., Зубарева М.М., Сушко Н.И.

Abstract

УДК 533.924

Представлены результаты исследования термохимических изменений состава и структуры фоторезистов, протекающих под воздействием на них химически активной плазмы СВЧ разряда и различных видов энергетических воздействий, в том числе сопутствующих СВЧ плазмохимической обработке материала. Изучались ИК спектры поглощения пленок фоторезиста после различных видов обработки. Установлено, что СВЧ плазмохимической обработке свойственны более значительные структурные изменения в материале фоторезистивной пленки по сравнению с обработкой в кислородном ВЧ разряде либо термовоздействием.

As a result of study an infrared absorption spectrums of photoresist films, subjected to processing by different types of energy actions, it was established that microwave plasmachemical processing is characterized by more considerable structural changes in the material of a photoresist films in comparison with processing in high frequency oxygen discharge or thermic action. These changes can be stipulated by a plurality of physical and chemical factors rendering destructive action on a component composition of a film. These factors can be: action of a ultra high frequency field on the film and substrate; thermal action by plasma of the discharge; action with a flow of active plasma particles.

Download full-text PDF. 2156 downloads

Menu

Vol. 38 (2002), Issue 5, p. 78-80

Влияние на фоторезистивный материал СВЧ плазмохимической обработки

Abstract