ELEKTRONNAYA OBRABOTKA MATERIALOV
ISSN 0013-5739 (Print) 2345-1718 (Online)

Menu

Vol. 40 (2004), Issue 5, p. 41-44

ELECTRICAL PROCESSES IN ENGINEERING AND CHEMISTRY

Влияние включений на пробой диэлектриков

Рзаев С.Г.


Abstract

УДК 621.9.04.8.4 + 621.315.592

 

Используя модель заряженного шара, внесенного в однородное электрическое поле, определены механизм и условия возникновения пробоя в диэлектриках, содержащих включения. Установлена зависимость критической напряженности поля Екр, при которой на скоплениях точечных дефектов (СТД) возникает микроплазма, из которой следует, что Екр пропорциональна радиусу СТД и плотности ионизованной примеси в ней, то есть заряду СТД.

 

 

The mechanism and conditions of the beginnings of breakdown in insulators included the clusters of the point defects was determined using the model of the charged sphere invested into homogeneous electric field. The dependence of the critical field Екр was obtained, when on the clusters of the point defects (CPD) micro plasmas arise. From this dependence follow that Екр proportional to radius of CPD and the density of the ionized impurity in them.

 

 

 
 

Download full-text PDF. 2780 downloads

Web-Design Web-Development SEO - eJoom Software. All rights reserved.