Vol. 51 (2015), Issue 2, p. 85-92

Тензосопротивление как источник информации о параметре анизотропии подвижности K = μ_⊥/μ_|| в многодолинных полупроводниках и некоторые новые возможности деформационной метрологии

Abstract

УДК 621.315.592

В многодолинных слаболегированных полупроводниковых монокристаллах n‑Ge и n‑Si методом тензосопротивления исследована анизотропия подвижности основных носителей заряда при Т = 77,4К, и при указанных условиях получены значения параметра анизотропии подвижности: K = μ_⊥/μ_|| = 15,6 – в n‑Ge и K = 5,89 – в n‑Si.

Ключевые слова: кремний, германий, тензосопротивление, параметр анизотропии подвижности.

In the many‑valley weakly doped semiconductor single crystals n‑Ge and n‑Si the anisotropy of mobility of majority charge carriers at Т = 77.4K was investigated and under these conditions the values of the anisotropy parameter of mobility were obtained: K = μ_⊥/μ_|| = 15.6 – in n‑Ge and K = 5.89 – in n‑Si.

Keywords: silicon, germanium, tensoresistance, the anisotropy parameter of mobility.

Download full-text PDF. 3174 downloads

Menu

Vol. 51 (2015), Issue 2, p. 85-92

Abstract