Исследование кинетики роста двуокиси кремния с учетом первичного взаимодействия кислорода с поверхностью полупроводника

Сафаров А.С., Шукурова Д.М., Икромов А.Х.

Abstract

УДК 621.382.528

Приведены данные изучения взаимодействия поверхности кремния с кислородом в процессе окисления его в сухом кислороде. Предложено математическое уравнение для описания кинетики окисления реальной поверхности кремния в сухом кислороде с учетом десорбции частиц на поверхности кремния. Впервые предложено уравнение для описания кинетики окисления реальной поверхности кремния в сухом кислороде с учетом десорбции частиц на поверхности кремния.

The data on interaction of silicon surface with dry oxygen are reported. The mathematical equation for the description of oxidation kinetics of silicon surface in the dry oxygen taking into account desorption of particles on the silicon surface is proposed.

Download full-text PDF. 2985 downloads

Menu

Vol. 40 (2004), Issue 2, p. 90-92

Исследование кинетики роста двуокиси кремния с учетом первичного взаимодействия кислорода с поверхностью полупроводника

Abstract