Новые материалы для солнечных элементов на основе кремния с квантовыми ямами CdS и ZnS

Абдурахманов Б.А., Мавлянов А.Ш., Содиков У.Х., Норкулов Н.

Abstract

УДК 621.328

Исследовано молекулообразование между примесными атомами элементов VI группы (S, Se) и элементами I, II, а также переходной группы, вводимыми в решетку кремния. Образующиеся при этом молекулы являются электронейтральными. Показаны оптимальные термодинамические условия и кинетика процесса образования структур с квантовыми точками A^IIB^VI. Указана перспективность полученных материалов для создания солнечных элементов.

The article is devoted to the investigation of molecule formation between impurity atoms of VI group elements (S, Se) and elements of I,II group as well as with elements of transient group, inserted in the crystal lattice of silicon. Thus, molecules being formed, are electrically neutral. Optimal thermodynamic conditions and kinetic of the process of structures’ formation with quantum dots of A^IIB^VIare described. The possibilities of prospective use of the obtained materials for enhanced solar cells are also described.

Download full-text PDF. 3222 downloads

Menu

Vol. 41 (2005), Issue 4, p.

Новые материалы для солнечных элементов на основе кремния с квантовыми ямами CdS и ZnS

Abstract