Эффект переключения на тонких пленках TlInSe2

Годжаев Э.М., Гюльмамедов К.Д., Халилова Х.С., Гулиева С.О.

Abstract

УДК 537. 226: 621. 315

Изложены результаты исследования вольт-амперной характеристики тонких пленок TlInSe₂ в статическом режиме в зависимости от длины и площади контакта. Выявлено, что на тонких пленках TlInSe₂наблюдается эффект переключения с памятью и для получения стабильного переключения необходимо, чтобы пороговый ток не превышал ток стабилизации состояния с неоднородным распределением тока по сечению.

The article deals with the results of research of current-voltage characteristic of TlInSe₂ thin films in a static mode depending on the length and the area of the contact. It has been found out that the effect of switching with memory is observed on TlInSe₂thin films and that in order to get a stable switching it is necessary for the threshold current not to exceed the current of stabilization of a state with non-uniform current distribution over the cross-section.

Download full-text PDF. 3670 downloads

Menu

Vol. 47 (2011), Issue 5, p. 18-22

Эффект переключения на тонких пленках TlInSe2

Abstract