Vol. 44 (2008), Issue 2, p. 105-109


Пиннинговая структура размерно-фононного резонанса в квантовых нитках

Эшпулатов Б., Арзикулов Э.У.


УДК 621.315.592


Рассматривается размерно-фононный резонанс в размерно-квантованных полупроводниковых нитках. Предполагается, что поглощение света обусловлено переходами электрона между размерно-квантованными подзонами в потенциальной яме с участием оптических длинноволновых фононов. Исследовано влияние резонансного электрон-фононного взаимодействия на спектр одномерного электрона  в квантованной нитке. Показано, что спектр содержит две ветви, а также расщепление пика размерно-фононного резонанса на две компоненты, расстояние между которыми определяется  резонансным электрон-фононным взаимодействием.


The dimensionally-phonon resonances in dimensionally-quantum semiconductor wires are consi-dered. It is supposed, that the absorption of light is caused by transitions electron between dimensionally-quantum sub bands in potential well with participation is long-wavelength phonon. The influence resonant electron-phonon of interaction on a spectrum one-dimensional electron in quantum wires is investigated. Is shown, that the spectrum contains two branches, and also the splitting of peak dimensionally-phonon resonance on two components, distance between is determined by resonant electron-phonon interaction.



Download full-text PDF. 1357 downloads

Web-Design Web-Development SEO - eJoom Software. All rights reserved.