En
Ru
Menu
Vol. 49 (2013), Issue 6, p. 74-79
Влияние термоотжига и условий охлаждения кристаллов n‑Si<P> на температурные зависимости подвижности носителей заряда в области примесного рассеяния
Abstract
УДК 621.315.592
Исследованы изменения температурных зависимостей подвижности носителей заряда в монокристаллах n‑Si<P>, выращенных методом Чохральского, которые отжигались и охлаждались при различных условиях. Кристаллы с удельным сопротивлением r300K = 0,3 и 4,4 Oм×cм отжигались при 1200 и 500оС в течение двух часов. Отжиг сопровождался быстрым (~ 1000oC/мин) или медленным (~ 1oC/мин) охлаждением. Показано, что подвижность свободных носителей заряда в случае примесного рассеяния определяется не только условиями термоотжига, но и скоростью охлаждения.
Ключевые слова: кремний, примесное рассеяние, подвижность носителей заряда, термоотжиг, условия охлаждения.
The changes of temperature dependences of charge carrier mobility in n‑Si<P> single crystals, grown by the Czochralski method, annealed and cooled under various conditions, have been investigated. The crystals with resistivities r300K = 0.3 and 4.4 Ohm×cm have been annealed at 1200 and 500oC, during 2 hours. The annealing has been accompanied by fast (~ 1000oC/min) or slow (~ 1oC/min) cooling. The mobility of free carriers in the case of impurity scattering is shown to be determined not only by thermal-annealing conditions but also by the rate of cooling.
Keywords: silicon, impurity scattering, charge carrier mobility, thermal-annealing, conditions of cooling.
Download full-text PDF. 3104 downloads
Web-Design Web-Development SEO - eJoom Software. All rights reserved.