Исследование электрофизических свойств и профилей распределения ионно-имплантированного марганца в кремнии

Эгамбердиев Б.Э., Холлиев Б.Ч., Маллаев А.С.

Abstract

УДК 621.315.594

Приводятся результаты исследования некоторых особенностей распределения и электрофизических свойств ионно-имплантированных атомов марганца в кремнии в зависимости от дозы имплантации и температуры отжига. Установлено, что при термообработке образцов кремния, имплантированного марганцем, происходит сложный процесс активации марганца. При этом активация марганца идет за счет образования различных силицидов как на поверхностном участке, так и в объеме кристалла.

The results of investigation and research of some particularities of distribution and electro-physical properties of the ion-implanted Mn atoms in silicon as a function of the dose of implantation and the temperature of annealing are presented in the given work. It has been determined that in the process of thermal processing of the Mn- ion-implanted silicon samples, complex process of activation of Mn takes place. Meanwhile, the process of Mn activation takes place due to formation of various silicides both on the surface and in the bulk of crystal lattices.

Download full-text PDF. 1155 downloads

Menu

Vol. 41 (2005), Issue 3, p. 84-86

Исследование электрофизических свойств и профилей распределения ионно-имплантированного марганца в кремнии

Abstract