Vol. 49 (2013), Issue 4, p. 43-46

Инфракрасное гашение фотопроводимости в кремнии с многозарядными кластерами марганца

Бахадырханов М.К., Исамов С.Б., Зикриллаев Н.Ф., Арзикулов Э.У.

Abstract

УДК 621.315.592

Обнаружен эффект самогашения фотопроводимости в кремнии с многократно заряженными нанокластерами атомов марганца в области hn = 0,4÷0,5 эВ. Особенность наблюдаемого явления – это гашение ФП при полном отсутствии фонового или собственного света, только при наличии ИК-излучения. Природа такого типа гашения ФП объясняется туннелированием электронов с уровня кластера и их рекомбинацией с дырками.

Ключевые слова: кремний, многозарядный нанокластер, самогашениe фотопроводимости, марганец, туннeлирование, ИК-излучениe.

The effect of self-quenching of photoconduction in silicon with multicharged clusters of manganese atoms in the area hn = 0.4÷0.5 eV is observed. A peculiarity of the observable phenomenon is photoconduction (PC) quenching in the absence of the background or intrinsic light, only if there is IR radiation. The nature of such type of PC quenching is accounted for by both the tunneling of electrons from the cluster energy level and their recombination with holes.

Keywords: silicon, multiply charged nanocluster, self-quenching of photoconduction, manganese, tunneling, IR radiation.

Download full-text PDF. 3457 downloads

Menu

Vol. 49 (2013), Issue 4, p. 43-46

Инфракрасное гашение фотопроводимости в кремнии с многозарядными кластерами марганца

Abstract