En
Ru
Menu
Vol. 42 (2006), Issue 3, p. 199-203
OPERATING EXPERIENCE
Образование высокоспиновых молекулярных кластеров марганца в монокристаллической матрице кремния и связанное с ними положительное магнитосопротивление
Арзикулов Э.У., Рузимуродов Ж.Т.
Abstract
УДК 539.23:539.1.04:621.315.392
Приводятся экспериментальные результаты изучения фотоэлектрических свойств и магнитосопротивления монокристаллических образцов кремния, имплантированных ионами марганца. Имплантация ионов марганца на полированную поверхность кремния р-типа (с удельным сопротивлением r =10 Ом×см при Т = 300 К) осуществлялась на установке ИЛУ-3 при энергии ионов 40 кэВ с дозой имплантации ~1016 ион/см2. Из пластин вырезались образцы размерами 5х3х0,3 мм3 и отжигались в атмосфере аргона при температуре 1000-1200°С в течение одного часа. После отжига удельное сопротивление образцов r ~ 105 Ом×см при Т = 300 К n-типом проводимости. Исследование фотоэлектрических свойств и магнитосопротивления полученных образцов позволяет сделать вывод о том, что в них образуются магнитные кластеры, подобные Mn6, Mn12 в кристаллической решетке кремния.
In present work given the experimental results investigation of photo-electric properties and magnetoresistance single crystals doped by ions manganese by ion implantation method. Implantation of Mn ions polished surface of p-type Si with resistance of r=10 Ohm*cm, has been carried out on experimental set-up ILU-3. Ion energy was 40 kEv, implantation dosage was~1016 ion/cm2. Ready plates were cut into samples of 5x3x0,5 mm3 size and placed in quartz ampoules and imposed to annealing at 1000-1200 °C for 1 hour. As a result strongly compensated samples of Si<Mn> both n- and p-type with resistances r=102¸105 Ohm*cm have been obtained. Investigation of photo-electric properties and magnetoresistance of the samples gives the bases to predict that in the samples is formed magnetic clusters such Mn6, Mn12 in the crystal lattice of silicon.
Download full-text PDF. 3240 downloads
Web-Design Web-Development SEO - eJoom Software. All rights reserved.