Vol. 48 (2012), Issue 2, p. 104-109

Исследование процессов генерации носителей заряда в МДП-структурах с диэлектриком на основе свинцово-боросиликатных стёкол

Парчинский П. Б., Лигай Л. Г., Насиров А. А., Алламбергенов М. М., Исмайлов К. А.

Abstract

УДК 621.315.592

При помощи метода изотермической релаксации неравновесной ёмкости МДП-структуры исследованы генерационные характеристики границы раздела кремний–свинцово-боросиликатное стекло. Установлено, что величина поверхностного генерационного тока немонотонно зависит от температуры. Показано, что обнаруженная немонотонность может быть результатом наличия в общей величине поверхностного генерационного тока компоненты, связанной с наличием токов туннельной и туннельно-активационной перезарядки ловушечных центров, локализованных в стекле вблизи границы с кремнием, которая становится доминирующей при понижении температуры.

The generation properties of the silicon – lead-borosilicate glass interface are studied by the method of pulsed MIS capacitor. It was shown that surface generation current nomonotonicly depends on temperature. This nomonotonic dependence may be the result of tunnel and tunnel activated current from traps states in lead-borosilicate glasses localized close to the silicon-glass interface which contributes to the total surface generation current and becomes dominant with decreasing temperature.

Download full-text PDF. 3187 downloads

Menu

Vol. 48 (2012), Issue 2, p. 104-109

Исследование процессов генерации носителей заряда в МДП-структурах с диэлектриком на основе свинцово-боросиликатных стёкол

Abstract