Исследование профилей распределения ионно-имплантированных атомов Mn методом Резерфордского обратного рассеяния и влияния на них термоотжига

Эгамбердиев Б.Э., Холлиев Б.Ч., Маллаев А.С.

Abstract

УДК 537.534.8

Приводятся результаты исследования профилей распределения имплантированных атомов Mn в кремнии в зависимости от дозы облучения и температуры отжига методом Резерфордского обратного рассеяния (РОР). Эти результаты хорошо согласуются с аналогичными данными, полученными другими методами. Изучено влияние термического отжига на распределение Mn и других примесей, в частности кислорода. Отмечена возможность использования метода РОР для анализа как концентрационного распределения легирующих примесей, так и взаимодействия примесей.

In this work the results of investigation of studying profiles of distribution of implanted atom of Mn into Si dipending on the dose of irradiation and temperature of annealing are given by the method RBS. The influence of thermal annealing on the distribution of Mn and other admixtures, in particular, of oxygen is studied. The possibility of using the method of RBS for analysis of both concentrated distribution of alloyed admixtures and the interaction of admixtures between each other is marked.

Download full-text PDF. 3233 downloads

Menu

Vol. 43 (2007), Issue 2, p. 75-78

Исследование профилей распределения ионно-имплантированных атомов Mn методом Резерфордского обратного рассеяния и влияния на них термоотжига

Abstract