Получение пленок СoSi₂/Si (100) и анализ их морфологии и стехиометрии методами молекулярно-лучевой, твердофазной и реактивной эпитаксий

Эгамбердиев Б.Э., Холлиев Б.Ч., Маллаев А.С., Зоирова М.Э., Эшонхонов А.

Abstract

УДК 539.23

Представлены результаты исследования процессов формирования сверхтонких пленок СoSi₂на поверхности Si (100) методами МЛЭ, ТФЭ и РЭ. Исследованы закономерности начального этапа роста пленки СoSi₂. Предложена стехиометрия пленок СoSi₂методом Оже – электронной спектроскопии. Результаты проведенных исследований указывают на сильную зависимость морфологических и электрофизических свойств структуры СoSi₂ /Si (100) от условий роста. Измерения поверхностного сопротивления показали, что сопротивление пленок СoSi₂, выращенных при Т>600⁰C, мало меняется для разных режимов роста.

The presented results of the study of the processes of the shaping superthin film СoSi₂ on surfaces Si (100) by methods MLE, TFE and RE. The Explored regularities of the initial stage of the growing of the film СoSi₂. It is offered stekhiometry of film СoSi₂ by method Oje – electronic spectroscopy. The results of investigation point to strong dependency morphological and electro-physical properties of structures СoSi₂/Si (100) from conditions of the growing. The measurements of the surface resistance factors that resistance film СoSi₂ growen under T>6000c, little are changed for miscellaneous mode growing.

Download full-text PDF. 3396 downloads

Menu

Vol. 43 (2007), Issue 1, p. 88-92

Получение пленок СoSi2/Si (100) и анализ их морфологии и стехиометрии методами молекулярно-лучевой, твердофазной и реактивной эпитаксий

Abstract

Получение пленок СoSi₂/Si (100) и анализ их морфологии и стехиометрии методами молекулярно-лучевой, твердофазной и реактивной эпитаксий