En
Ru
Menu
Vol. 49 (2013), Issue 1, p. 48-53
Микроскопическое исследование влияния γ-излучения на эпитаксиальные пленки Pb1-xMnxSe
Нуриев И.Р., Мамишова Р.М., Гаджиева Н.Н., Рамазанов М.А., Садыгов Р.М.
Abstract
УДК 621×315; 548×552; 546×28
Методом атомно-силовой микроскопии исследована морфология поверхности эпитаксиальных пленок n- и p-типов селенида марганца свинца (Pb1-xMnxSe (x = 0,01)) на подложках фторида бария ориентации (111) в исходном состоянии и после воздействия гамма-облучения. Показано, что модификация рельефа поверхности происходит в области поглощенной дозы 5≤Dg≤35 кГр. На основе особенностей поверхностных структур установлена инверсия pÛn переходов при значениях 10≤Dg≤25 кГр, что подтверждается электрофизическими измерениями. Выявлено, что выше 35 кГр нарушается радиационная стойкость этих пленок.
In the present work the surface morphology of epitaxial Pb1-xMnxSe (x = 0.01) films of n- and p-types, obtained on BaF2 (111) substrates by the molecular beam condensation method, have been investigated on the atomic-force microscope (АFМ) before and after influence of gamma-irradiation. It is shown that relief modification takes place in the 5≤Dg ≤35 kGy dose regions. On the base of surface structures it is established that conducti-vity inversion pÛn occurs after an irradiationwith 10≤Dg≤25 kQr, which is confirmed by electrophysical measurements. It is established that after an irradiation with dose over 35 kGy epitaxial films lose their radiation resistance.
Download full-text PDF. 3163 downloads
Web-Design Web-Development SEO - eJoom Software. All rights reserved.